Традицион LED яктырту һәм күрсәтү өлкәсендә революция ясады, нәтиҗәлелеге, тотрыклылыгы һәм җайланма күләме ягыннан өстен күрсәткечләре аркасында.Светофорлар, гадәттә, миллиметрның капиталь үлчәмнәре булган нечкә ярымүткәргеч пленкалар, утлы лампалар һәм катод трубалары кебек традицион җайланмалардан күпкә кечерәк.Ләкин, виртуаль һәм киңәйтелгән чынбарлык кебек барлыкка килгән оптоэлектрон кушымталар микрон яки аннан да азрак LED-лар таләп итә.Өмет бар - микро - яки субмикрон масштаблы LED (µleds) традицион лесларның күп өстен сыйфатларына ия булуларын дәвам итәләр, мәсәлән, югары тотрыклы эмиссия, югары эффективлык һәм яктылык, ультра түбән энергия куллану, һәм тулы төсле эмиссия, мәйданда миллион тапкыр кечерәк булганда, күбрәк компактлы дисплейларга мөмкинлек бирә.Мондый әйдәп баручы чиплар тагын да көчлерәк фотоник схемаларга юл ача алалар, әгәр алар Si-та бер чип үстереп, металл оксиды ярымүткәргеч (CMOS) электроникасы белән интеграцияләнсәләр.
Ләкин, әлегә кадәр, мондый µледлар аеруча яшелдән кызыл эмиссия дулкын озынлыгы диапазонында кала.Традицион алып баручы алым - InGaN квант кое (QW) фильмнары микро масштаблы җайланмаларга эфир процессы аша кертелгән өстән төшү процессы.InGaN QW нигезендәге нечкә фильм Tio2 µleds InGaNның бик яхшы характеристикалары аркасында күп игътибарны җәлеп итте, мәсәлән, эффектив ташучы транспорт һәм дулкын озынлыгы көйләнеше кебек, хәзерге вакытта алар ян-дивар кебек проблемалар белән интегәләр. җайланма күләме кимегәндә начарлана барган коррозия зарарлыгы.Моннан тыш, поляризация кырлары булганга, аларда дулкын озынлыгы / төс тотрыксызлыгы бар.Бу проблема өчен поляр булмаган һәм ярым поляр булмаган InGaN һәм фотоник кристалл куышлык чишелешләре тәкъдим ителде, ләкин алар хәзерге вакытта канәгатьләнерлек түгел.
Якты фән һәм кушымталарда басылган яңа кәгазьдә, Мичиган университеты профессоры Зетиан Ми җитәкчелегендәге тикшерүчеләр, Аннабель, субмикрон масштаблы яшел LED iii - нитрид уйлап чыгардылар, бу каршылыкларны бервакытта да җиңәләр.Бу µледлар сайлап алынган региональ плазма ярдәмендә молекуляр нур эпитаксы белән синтезланган.Традицион өстән-аска караштан аермалы буларак, мондагы нановирлар массивыннан тора, аларның һәрберсенең диаметры 100 - 200 нм, дистәләрчә нанометр белән аерылган.Бу аскы ысул, дивар коррозиясенең зарарлы булуыннан саклый.
Deviceайланманың яктылык җибәрүче өлеше, шулай ук актив регион буларак та билгеле, нановир морфологиясе белән характерланган үзәк кабыгы күп квантлы кое (MQW) структураларыннан тора.Аерым алганда, MQW InGaN коесыннан һәм AlGaN барьерыннан тора.III группа элементларының индиум, галлий һәм алюминийның adsorbed атом миграциясендәге аермалар аркасында, без индиумның нановирларның диварларында юкка чыгуын таптык, монда GaN / AlGaN кабыгы MQW үзәген буррито кебек ураган.Тикшеренүләр ачыклаганча, бу GaN / AlGaN кабыгының Al эчтәлеге нановирларның электрон инъекция ягыннан тишек инъекция ягына әкренләп кимегән.GaN һәм AlN эчке поляризация кырларының аермасы аркасында, AlGaN катламындагы Al эчтәлегенең шундый күләмле градиенты ирекле электроннарны китерә, алар MQW үзәгенә агыла һәм поляризация кырын киметеп төс тотрыксызлыгын җиңеләйтәләр.
Чынлыкта, тикшерүчеләр ачыклаганча, диаметры бер микроннан ким булган җайланмалар өчен, электролуминценсның иң югары дулкын озынлыгы, яки агымдагы яктылык эмиссиясе, хәзерге инъекция үзгәрүенең зурлыгы тәртибендә даими кала.Моннан тыш, профессор Ми командасы моңа кадәр кремнийда югары сыйфатлы GaN капламаларын үстерү ысулын уйлап тапты, кремнийда нановир түшәкләрен үстерү.Шулай итеп, µled бүтән CMOS электроникасы белән интеграцияләнергә әзер Si субстратында утыра.
Бу бик җиңел потенциаль кушымталарга ия.Чиптагы интеграль RGB дисплейның эмиссия дулкын озынлыгы кызылга кадәр киңәю белән, җайланма платформасы тагын да ныграк булачак.
Пост вакыты: 10-2023 гыйнвар